Nexperia推出100 V MOSFET，為高要求汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗
2025-09-22
Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212（12 x 12毫米）銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可實(shí)現(xiàn)460A以上的安全電流。產(chǎn)品包含頂部和底部散熱封裝組合，非常適合對散熱要求嚴(yán)格的48V汽車應(yīng)用，包括車載充電器(OBC)、牽引逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)。除了乘用車之外，新款MOSFET還適用于其他注重效率和散熱可靠性的應(yīng)用，包括兩輪和三輪電動車、DC-DC轉(zhuǎn)換器及工業(yè)大電流模塊等。
車企正在迅速從12 V轉(zhuǎn)向48 V子系統(tǒng)，以提高效率、減輕重量并延長各類電動汽車平臺的續(xù)航里程。在此類高功率應(yīng)用中，最大限度地減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。以往，設(shè)計(jì)人員通常會并聯(lián)多個(gè)MOSFET來滿足性能需求，但這種做法會增加所需的元件數(shù)量，同時(shí)占用更多電路板空間。Nexperia的CCPAK1212 MOSFET具有超低RDS(on)和高功率密度，減少了對并聯(lián)器件的需求，并且得益于緊湊的尺寸，與傳統(tǒng)的TOLL或TOLT封裝并聯(lián)方案相比，可節(jié)省多達(dá)40%的PCB空間。
新一代100 V 符合AEC-Q101認(rèn)證的溝槽晶圓工藝平臺與Nexperia專有CCPAK1212銅夾封裝的出眾散熱性能(Rth(jb) = 0.1 K/W)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)超低RDS(on)，從而為48 V汽車系統(tǒng)提供所需的關(guān)鍵優(yōu)勢，包括高電流承載能力、高功率密度，而且在100 V時(shí)支持高達(dá)400 A的安全工作區(qū)(SOA)額定值。
為了盡可能地提高設(shè)計(jì)靈活性，此款器件提供反向頂部散熱(CCPAK1212i)和底部散熱(CCPAK1212)兩種版本供選擇，使工程師能夠根據(jù)系統(tǒng)需求，靈活設(shè)計(jì)緊湊型布局并優(yōu)化散熱管理方案。
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